LED ( LIGHT EMITTING DIODE)
LED adalah
komponen elektronika yang terbuat dari junction suatu bahan semikonduktor
tipe-p dan tipe-n, yang memancarkan cahaya bila diberi bias maju. Seperti
halnya pada diode p-n junction, bila diberi bias maju maka besarnya tegangan
barrier akan turun sehingga elekron dan lubang memiliki cukup tenaga untuk
berpindah melewati junction. Bila elektron dan lubang bertemu maka elektron
bertransisi dengan memancarkan energi dalam bentuk radiasi photon.
Besarnya
energi photon yang dipancarkan dinyatakan sebagai
E = h v
dengan v =
frekuensi gelombang yang dipancarkan.
h = konstanta Planck = 6,626. Js
Perbedaan
bahan semikonduktor yang digunakan untuk membuat LED (baik yang horno-junction
maupun heterojunction) akan mempengaruhi besarnya rentang panjang gelombang, yang dipancarkan dan memberikan efisiensi
kuantum ang berbeda. Tabel dibawah menunjukkan emisi puncak panjang gelombang yang
dipancarkan dan konversi warnanya serta besarnya efisiensi kuantum dari LED
yang dibuat dengan beberapa macam bahan dan dopant.
Ket :Dopant
bertindak sebagai donor atau aceptor (tipe-p/n) tergantung pada kondisi
pertumbuhan bahan (proses).
Bahan semikonduktor merupakan bahan
yang mempunyai sifat kontak ohmik yang kurang baik, sehingga untuk dapt dibias
maju perlu ditambahkan bahan konduktor seperti aluminium dengan cara dilapiskan
pada bagian atas dan bawah p-n junction. Pemilihan bahan konduktor ini, selain
mempertimbangkan konduktivitas bahan juga kemampuan bahan konduktor menempel
dengan baik pada paermukaan bahan semikonduktor yang akan dilapisi. Selain
ditambahkan bahan konduktor, untuk memperkuat bahan konduktor dapat menempel
pada bahan semikon-duktor ditambahkan bahan lain seperti Si. Salah satu
konstruksi LED yang sederhana ditunjukkan Gambar 1.8. Arus/aliran elektron
injeksi diberikan pada daerah tipe-p, dan photon memancar kesegala arah.
Efesiensi kuantum internal yang terjadi dalam junction, pada beberapa bahan LED
dapat medekati nilai 100%, tetapi efisiensi eksternal setelah photon keluar
dari LED sangat rendah. Penyebab utama dari turunnya efisiensi ini adalah
penyebaran arah rambat cahaya, dan terjadinya pemantulan dalam total karena
sudut datang lebih besar dari sudut kritis.
Fenomena
pemantulan dan pembiasan dai suatu sumber titik pada dua medium yang ber indeks
bias berbeda, ditunjukkan Gambar 1.9. Seberkas cahaya datang pada bidang batas
dua medium, berkas menjalar dari medium suatu berindeks bias kedalam medium dua berindeks bias , dengan
ketentuan , pada gambar tampak tiga sinar yang datang
dengan sudut berbeda. Sinar pertama datang pada bidang batas, mengakibatkan
berkas cahaya terpantul dan terbias kedalam medium dua, sedangkan sinar kedua
hanya terpantul saja karena sudut datang tepat sama dengan sudut kritis yang
menghasilkan pemantulan dalam total.
Penambahan sudut datang yang lebih besar
daripada sudut kritis akan memberikan akibat yang sama, yakni berkas cahaya semuanya
terpantulkan dan tidak ada yang dibiaskan. Dalam konstruksi LED, berkas cahaya
yang merambat dengan sudut datang sama atau lebih besar sudut kritis harus
dihindarkan supaya efisiensi energi yang dikeluarkan LED tidak berkurang
terlalu banyak.
Perbandingan
amplitudo gelombang yang terpantul dan yang terbias terhadap amplitudo
gelombang datang dapat ditentukan dengan
penurunan teori gelombang elektromagnetik. Besarnya perbandingan
amplitudo gelombang terpantul dan terbias terhadap amplitudo gelombang datang,
oleh Fresnel dikenalkan sebagai koefisien amplitudo transmis.
Ada dua cara
untuk memperbesar nilai F, yakni dengan mengurangi sudut datang sehingga lebih
kecil dari sudut kritis dan tidak terjadi fenomena pemantulan dalam total. Cara
ini dilakukan dengan membuat permukaan semikonduktor tipe-p berbentuk
hemisperikal seperti. Cara pemantulan bentuk hemisperikal ini memberikan
daya LED yang cukup tinggi, tetapi sangat sulit dan mahal untuk membentuk
seperti ini. Cara kedua dengan menempatkan junction dalam suatu cungkup yang
terbuat dari bahan transparan yang berindeks bias berbeda, dan strukturnya.
Cara kerja LED adalah sebagai berikut,
semikonduktor
tipe-n memiliki sejumlah elektron bebas, sedangkan
semikonduktor tipe-p
memiliki
sejumlah lubang bebas. Jika semikonduktor tipe-n dan
tipe-p disambungkan akan
terbentuk suatu penghalang
tenaga. Baik lubang bebas maupun elektron bebas tidak memiliki cukup tenaga untuk melewati penghalang
tersebut untuk ber- rekombinasi. Apabila diberikan suatu tegangan maju, maka besarnya penghalang tenaga
akan turun,
sehingga elektron
bebas
dan lubang
bebas memiliki cukup
tenaga untuk
berpindah
melewati
sambungan. Jika elektron
bebas dan lubang bebas tadi
bertemu, maka elektron akan turun ke bidang valensi dan kemudian ber- rekombinasi dengan lubang bebas tersebut. Tenaga yang dilepaskan pada peristiwa itu akan diubah menjadi tenaga optik dalam bentuk foton.
Tidak ada komentar:
Posting Komentar